Главная  Сложная РЭА 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [ 50 ] 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92

МЫХ усиления и полосы пропускания. Полезно отметить, что возрастание Ки поп при переходе от включения с ОЭ к включению с ОБ вызвано не изменением проводимости обратной связи г/12, а значительным увеличением входной проводимости, из-за чего напряжение, возникающее на коллекторе, делится при передаче на вход больше, чем в варианте ОЭ. Величина коэффициента обратной связи по напряжению (табл. 4.1) hi2--Wf/ii четко отражает этот факт.

Каскодное включение ОЭ-ОБ имеет /Сиодоп, намного превосходящий возможность реализации такого усиления. Широкое использование этого включения большей частью исключает заботы, связанные с внутренней обратной связью и позволяет сосредоточить внимание на подавлении внешней обратной связи в усилителе. Включение ОЭ-ОБ в два раза увеличивает число транзисторов при небольшом удорожании устройства.

В миниатюрных приборах возможно применение бескорпусных транзисторов КТ307, КТ319, КТ324 [5]. В сериях интегральных микросхем имеются каскодные усилители, выполняемые по полупроводниковой и гибридной тонкопленочной технологии К1УС222, К1УС182, К2УС283, К2УС241. Из них только первая помещена в корпус, соответствующий корпусу одного маломощного высокочастотного транзистора, корпуса остальных вариантов велики, и использовать их нет смысла. Возможно, что по специальному заказу можно изготовить в тех же корпусах более выгодные комбинации. При конструировании отдельных каскадов и многокаскадных усилителей следует учитывать, что преимущества кас-кодного включения ОЭ-ОБ - малая внутренняя обратная связь - могут быть легко сведены к нулю неудачным размещением элементов в корпусе интегральной микросхемы или в целом усилителе, при котором проявится внешняя обратная связь.

4.12. Расчет допустимых коэффициентов усиления полевых транзисторов и электронных ламп в резонансных усилителях

Расчет допустимых коэффициентов усиления рассматриваемых здесь усилительных приборов производится подобно разобранному в предыдущем параграфе по основным уравнениям (4.37) и (4.38). Полевые транзисторы и электронные лампы отличаются от биполяр-



йых транзисторов малой активной составляющей входной проводимости при включении по схеме с ОИ. При современном наборе разнообразных усилительных приборой всегда можно выбрать такой, чтобы работать на частоте ниже (0,3 ... 0,5)fs. Это позволяет пренебрегать ци, gi2a и считать, что проводимость прямой передачи g2iK равна крутизне характеристики S, измеренной на низких частотах.

При составлении настоящего параграфа автор пользовался аналогиями между полевыми транзисторами и электронными лампами и монографией [25], в которой подробно разобраны свойства и применение полевых транзисторов.

Каскад, включенный по схеме с общим истоком (рис. 4.29)

В уравнение (4.37) нужно подставить 11=0; m=I; конт=1/-/?вкв; yi2mCsc; Ym=0,5. Тогда получим

uotton-

(4.52)

при подстановке в эту формулу величин Сзс, соответствующих полевым и вакуумным триодам, получается, что они имеют сколько-нибудь приемлемое допустимое усиление только на относительно низких частотах, на которых резонансные усилители не применяются. На более высоких частотах допустимое усиление мало и для

.О il,

-о О

Зотбор Огп.феОы- \ оущеео \ wcKOffa



Рис. 4.29. Усилитель ВЧ, включенный с ОИ: с - на полевом транзисторе; б - на вакуумном пентоде



его увеличения применяют экранированные лампы (тетроды и пентоды), имеюпше значительно меньшую емкость Сзс. Для этого случая и предназначена формула (4.52), в которой в величине Сдс следует учитывать емкость монтажа и емкость ламповой панели.. Обычно они превосходят проходную емкость, даваемую в справочниках. Емкость между двумя гнездами панели для пальчиковой лампы около 0,01 пФ при условии соединения с корпусом среднего экранирующего пистона. Емкость между двумя гнездами панели для лампы с октальным цоколем около 0,02 пФ. Емкость монтажа можно не учитывать, только если в конструкции имеются экраны, проходящие поперек ламповой панели между выводами анода и сетки. Во всех других случаях емкость монтажа можно приближенно определить по табл. 1.4 ... 1.8, причем маловероятно, чтобы она оказалась меньше 0,03 пФ. Сравнение приведенных цифр с величинами емкостей Cga пентодов и тетродов, даваемыми в справочниках, показывает, что большая разница в проходной емкости различных типов ламп почти не сказывается на величине суммарной действующей емкости, определяющей внутреннюю обратную связь.

Каскад, включенный по схеме с общим затвором (рис. 4.30)

Он отличается большой входной проводимостью gn= ~g\\s=S, из-за чего усилительный прибор подключается к контуру через трансформатор или автотрансформатор


Отпредь/-

Рис. 4.30. Усилитель ВЧ, включенный с 03: о -на полевом транзисторе; б -на вакуумном триоде





1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 [ 50 ] 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92