Главная  Сложная РЭА 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [ 49 ] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92

Таблица 4.5

Формулы для расчета допустимых коэффициентов усиления биполярного транзистора в резонансных усилителях

Вариант применения

Допустимый коэффициент усиления

Номер формулы

Основная формула

Основная формула для постоянной полосы про у-скания

(4.37)

(4.38)

Включение с ОЭ при большой связи контура с транзистором

Включение с ОЭ при постоянной полосе пропуска-

НИЯ

0,1 С А/о .7

YmTO- Ск /о

Включение с ОЭ при т=

Включение с ОБ при большой связи контура с транзистором

0.1g 6 0.1gn6

YMf/l26 YMli/223-bj/l23l

Включение с ОБ при т=

= gK0Kt/gll6 .

0.2g..6

Включение с ОБ при слабой связи контура с транзистором

O.lgkoht

Каскодный усилитель ОЭ-ОБ при большой связи контура с перьым транзистором

0.1gll3ll/ll62 YMjl29lil262

Каскодный усилитель ОЭ-ОБ при постоянной полосе пропускания

0,1 С ufo,7 Унбг

Y т- С к fo {1262

(4.40)

(4.41)

(4.42)

(4.43)

(4.44)

(4.45)

(4.4S)

(4.50)

Каскодный усилитель

ОЭ-ОБ при Z=F gk0ht/gii3) Примечание, krp = О

0.2gii3iyi.i62 ,

YM{l23li/l262

(4.51)



4.11. Расчет допустимых коэффициентов усиления биполярного транзистора в резонансных усилителях

Пользуясь расчетными формулами (табл. 4.5) и ориентировочными значениями у-пара1метров транзистора 1Т313Б на частоте 60 МГц Б режиме 7 =5 мА, Е/к=Б В, приведенными в табл. 4.3, определим максимально допустимый коэффициент усиления транзистора для различных его включений. Значения коэффициента ум для отношения fDjfs=0,5 взяты из табл. 4.4. Чтобы обеспечить заданную степень удаленности от самовозбуждения, пользуемся графой положительная обратная связь . Для получения заданной иеискаженности частотной характеристики возьмем большую из двух цифр, независимо от знака обратной связи.

Пример 4.11,0. Включение с ОЭ при большой связи контура со входом транзистора §11э>конт/пг2. Согласно формуле (4.40)

O.lgns 0,1-8.9

tiuomn- у^у^ - 0,28-6,82-

при заданной степени удаленности от самовозбуждения и

0.1-8.9

Лмдоп -Q 72.о,82~

при заданной иеискаженности частотных характеристик.

Пример 4.11,6. Включение с ОЭ прн согласовании , когда 11э=ёнонт/пг2. При расчете по формуле (4.42) полученные выше цифры увеличатся в два раза, до 7,8 и 3,0. Замена {/1гэ=0,82 на о>оС =0,95 почти не изменит результаты расчета.

Пример 4.11,6. Включение с ОЭ при постоянной полосе пропускания. Предположим, что контур, подключенный ко входу транзистора, имеет полосу пропускания Afc.i-B МГц. Для получения такой полосы коитур обычно приходится шунтировать сопротивлением Rm=2 кОм. Полагая, что это шунтирование определяется входной проводимостью транзистора gus, необходимо иметь коэффициент трансформации

т = Vl/g Jm = Т^Т78>2 = 0,24. При этом, входная емкость транзистора будет рав.ча

6 э 7,55-10- -щ, 271.60.10 а при пересчете в контур

С'вх=Свх г2=28-0,242=1,6 пФ. Полная емкость контура будет равна сумме емкостей:

C=CBx-fC,b,H-CM=l,6-f8-f5=14,6 пФ. Вводя эти данные в формулу (4.41), получаем

0,1 С Д/о 0,1 14,6 6

одоп- Ск /, 0,28.0,242 2Х 60 =

(при заданной удаленности от самовозбуждения),



Пример 4.11,г. Включение с ОБ при большой связи контура со входом транзистора gii6>gK0HT/m. По формуле (4.43) определяем

К 0.1g,.6 0.1-142

Л^доп- . 0,72-2,4

Пример 4.11,6. Включение с ОБ при равенстве gnagncBT/m. В соответствии с (4.44) допустимое усиление возрастет в два раза, т. е. до величины Кир.ол=16Л. Еще большее усиление будет допустимо, если включить входную цепь транзистора последовательно в контур, подобрав соответствующим образом его волновое сопротивление р. Изменение фазы обратной связи позволяет взять множитель Ym из другой графы и тогда

0,72

Kus>KOTi = 10.4 р gg =42

(только для заданной удаленности от самовозбуждения).

Пример 4.11,е. Каскодное включение ОЭ-ОБ при большой связи контура со входом первого транзистора §иэ>конт/пг2. По формуле (4.49) находим

0.1g 3.yn62 0,1.8,9.151

Ашяоп- Y j,,3,j ,62 -0,9.0,82.2,4- -

Пример 4.11,ac. Каскодное включение ОЭ-ОБ при равенстве gii8=gKOHT/n22. Согласно формуле (4.51) допустимое усиление возрастет в два раза. Во много раз больше будет допустимое усиление при последовательном включении входной цепи транзистора в контур (для заданной удаленности от самовозбуждения). Рассчитывать эти варианты нет смысла, так как получение такого большого усиления нереально, н на работу включения ОЭ-ОБ (иа данной частоте) внутренняя обратная связь почти не влияет.

Сравнение приведенных примеров показывает, что включение биполярного транзистора с общим эмиттером не позволяет получить устойчивый усилитель с достаточным усилением на частотах f >-(0,3 ... 0,5) fs. Для повышения устойчивого усиления возможно применение нейтрализации проводимости у12э, которая усложняет усилитель дополнительными деталями и требует специальной настройки. Недостатком нейтрализации является также возможная расстройка ее при ремонте и при изменении температуры в широком диапазоне. Поэтому на практике ее используют редко, и то только в бытовой аппаратуре.

При включении с общей базой допустимый коэффициент усиления резко возрастает, особенно при последовательном включении в контур входной проводимости транзистора. Здесь затруднения возникают не из-за внутренней обратной связи, а с получением необходи-




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [ 49 ] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92