Главная Сложная РЭА 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [ 49 ] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 Таблица 4.5 Формулы для расчета допустимых коэффициентов усиления биполярного транзистора в резонансных усилителях Вариант применения Допустимый коэффициент усиления Номер формулы Основная формула Основная формула для постоянной полосы про у-скания (4.37) (4.38) Включение с ОЭ при большой связи контура с транзистором Включение с ОЭ при постоянной полосе пропуска- НИЯ 0,1 С А/о .7 YmTO- Ск /о Включение с ОЭ при т= 1э Включение с ОБ при большой связи контура с транзистором 0.1g 6 0.1gn6 YMf/l26 YMli/223-bj/l23l Включение с ОБ при т= = gK0Kt/gll6 . 0.2g..6 Включение с ОБ при слабой связи контура с транзистором O.lgkoht Каскодный усилитель ОЭ-ОБ при большой связи контура с перьым транзистором 0.1gll3ll/ll62 YMjl29lil262 Каскодный усилитель ОЭ-ОБ при постоянной полосе пропускания 0,1 С ufo,7 Унбг Y т- С к fo {1262 (4.40) (4.41) (4.42) (4.43) (4.44) (4.45) (4.4S) (4.50) Каскодный усилитель ОЭ-ОБ при Z=F gk0ht/gii3) Примечание, krp = О 0.2gii3iyi.i62 , YM{l23li/l262 (4.51) 4.11. Расчет допустимых коэффициентов усиления биполярного транзистора в резонансных усилителях Пользуясь расчетными формулами (табл. 4.5) и ориентировочными значениями у-пара1метров транзистора 1Т313Б на частоте 60 МГц Б режиме 7 =5 мА, Е/к=Б В, приведенными в табл. 4.3, определим максимально допустимый коэффициент усиления транзистора для различных его включений. Значения коэффициента ум для отношения fDjfs=0,5 взяты из табл. 4.4. Чтобы обеспечить заданную степень удаленности от самовозбуждения, пользуемся графой положительная обратная связь . Для получения заданной иеискаженности частотной характеристики возьмем большую из двух цифр, независимо от знака обратной связи. Пример 4.11,0. Включение с ОЭ при большой связи контура со входом транзистора §11э>конт/пг2. Согласно формуле (4.40) O.lgns 0,1-8.9 tiuomn- у^у^ - 0,28-6,82- при заданной степени удаленности от самовозбуждения и 0.1-8.9 Лмдоп -Q 72.о,82~ при заданной иеискаженности частотных характеристик. Пример 4.11,6. Включение с ОЭ прн согласовании , когда 11э=ёнонт/пг2. При расчете по формуле (4.42) полученные выше цифры увеличатся в два раза, до 7,8 и 3,0. Замена {/1гэ=0,82 на о>оС =0,95 почти не изменит результаты расчета. Пример 4.11,6. Включение с ОЭ при постоянной полосе пропускания. Предположим, что контур, подключенный ко входу транзистора, имеет полосу пропускания Afc.i-B МГц. Для получения такой полосы коитур обычно приходится шунтировать сопротивлением Rm=2 кОм. Полагая, что это шунтирование определяется входной проводимостью транзистора gus, необходимо иметь коэффициент трансформации т = Vl/g Jm = Т^Т78>2 = 0,24. При этом, входная емкость транзистора будет рав.ча 6 э 7,55-10- -щ, 271.60.10 а при пересчете в контур С'вх=Свх г2=28-0,242=1,6 пФ. Полная емкость контура будет равна сумме емкостей: C=CBx-fC,b,H-CM=l,6-f8-f5=14,6 пФ. Вводя эти данные в формулу (4.41), получаем 0,1 С Д/о 0,1 14,6 6 одоп- Ск /, 0,28.0,242 2Х 60 = (при заданной удаленности от самовозбуждения), Пример 4.11,г. Включение с ОБ при большой связи контура со входом транзистора gii6>gK0HT/m. По формуле (4.43) определяем К 0.1g,.6 0.1-142 Л^доп- . 0,72-2,4 Пример 4.11,6. Включение с ОБ при равенстве gnagncBT/m. В соответствии с (4.44) допустимое усиление возрастет в два раза, т. е. до величины Кир.ол=16Л. Еще большее усиление будет допустимо, если включить входную цепь транзистора последовательно в контур, подобрав соответствующим образом его волновое сопротивление р. Изменение фазы обратной связи позволяет взять множитель Ym из другой графы и тогда 0,72 Kus>KOTi = 10.4 р gg =42 (только для заданной удаленности от самовозбуждения). Пример 4.11,е. Каскодное включение ОЭ-ОБ при большой связи контура со входом первого транзистора §иэ>конт/пг2. По формуле (4.49) находим 0.1g 3.yn62 0,1.8,9.151 Ашяоп- Y j,,3,j ,62 -0,9.0,82.2,4- - Пример 4.11,ac. Каскодное включение ОЭ-ОБ при равенстве gii8=gKOHT/n22. Согласно формуле (4.51) допустимое усиление возрастет в два раза. Во много раз больше будет допустимое усиление при последовательном включении входной цепи транзистора в контур (для заданной удаленности от самовозбуждения). Рассчитывать эти варианты нет смысла, так как получение такого большого усиления нереально, н на работу включения ОЭ-ОБ (иа данной частоте) внутренняя обратная связь почти не влияет. Сравнение приведенных примеров показывает, что включение биполярного транзистора с общим эмиттером не позволяет получить устойчивый усилитель с достаточным усилением на частотах f >-(0,3 ... 0,5) fs. Для повышения устойчивого усиления возможно применение нейтрализации проводимости у12э, которая усложняет усилитель дополнительными деталями и требует специальной настройки. Недостатком нейтрализации является также возможная расстройка ее при ремонте и при изменении температуры в широком диапазоне. Поэтому на практике ее используют редко, и то только в бытовой аппаратуре. При включении с общей базой допустимый коэффициент усиления резко возрастает, особенно при последовательном включении в контур входной проводимости транзистора. Здесь затруднения возникают не из-за внутренней обратной связи, а с получением необходи- |