Главная  Сложная РЭА 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92

Т а б л и ц а 4.3

Ориентировочные {/-параметры биполярного транзистора 1Т313Б на

Схема ОБ

Комплексные значения, мСм

Эквивалент

R, Ом

l, мкГ

60 200

36-/2,62 142 -у 52 32,0-/2,84 71-/61,1

36 151 32

4 20

5 41

28 7 31,2 14,1

1,05 0,05 0,28 0,013

60 200

60 200

60 200

-28-f/14,7 -137-f /65 -9+ /15,5 -47,2+ /74

31,2 152 17,9 87,6

28 25 60 58

0,22+ /1,37 1,0+ /3,0

0,78+ /3,6 3,7+ /5,51

1,37 3.2 3,7 6,6

-81 -72 -78 -56

4500 1000 1280 270

2,9 4,4

-0,04-/0,54 -0,78-/2,13 -0,14-/1,3 -3,05-/3,55

0,54 2,4 1.6 4,8

-89 -71 -85 -49

25000 1300 7150 328

1,4 6

чина расхождений может состоять в том, что автор пользовался при расчете данными, взятыми из технических условий, которые имеют большой запас по величине параметров и могут сильно отличаться от измеренных значений конкретного транзистора. Другие отклонения могут возникнуть также вследствие неточного определения низкочастотного входного сопротивления Аив нч по величинам Гэ н Гб. Все же далеко не все расхождения параметров можно отнести за счет указанных причин. Возможно, что некоторые из них объясняются просто ошибками в вычислениях, в измерениях и в фор .мулах. Так, например, в статье [29] для транзистора ГТ313, мало отличающегося от рассматриваемого здесь транзистора 113135, в режиме /э=5 мА, t/ =5 В на той же частоте 60 МГц даются величины i/ia6=-0,05-j0,05 и i/i2d=-0,5-]0,7 мСм.

Из этих цифр следует, что модуль у12в в 12 раз больше модуля 1/126, в то же время из приведенного расчета видно, что модуль 126 почти в 3 раза больше las- Объяснить такую большую разницу можно только ошибками в измерениях и расчетах. Расчеты автора могут быть легко проверены по вычислениям в настоящем параграфе и по данным ТУ на транзистор. Вывод расчетных формул дан в работе [22]. Обоснование цифр статьи [29], к сожалению, не дается. Кстати, меньшее влияние внутренней обратной связи в схеме ОБ по сравнению со схемой ОЭ получается не из-за



частотах 60 и 200 МГц. Обраб отка данных технических условий

Схема ОЭ

Комплексные значения, мСм

Модуль,

Лодул мСм

Фазовый угол, град

Эквивалент

R, Ом

fifs

7,1+/12,0 8,9 + /10,5 22,3+ /12,5 23,5+ /12,3

28-/14,7 137-/65 9-/15,5 47,2-/74

13,8 13,7 25,6 26,5

-60 -49 -29 -28

143 110 45 43

31,2 152 17,9 87,6

28 25 60 58

32 28 10 9,8

0,43 0,09 1,42 0,3

0,43 0,09 1,42 0,3

0,52 0,47 1,73 1,57

0,52 0,47 1,73 1,57

0,22 +/1,37 1,0 + /3,0

0,78+ /3,6 3,7+ /5,51

1,37 3,2 3,7 6,63

-81 -72 -78 -56

4500 1000 1280 270

3,6 8 2,9 4,4

0,43 0,09 1,42 0,3

-0,18-/0,84 -0,16-/0,81 -0,625-/2,05 -0,615-/2,0

0,86 0,82 2,14 2,09

-78 -79 -73 -73

5500 6300 1600 1630

2,25 2,1 1,62 1,58

0,43 0,09 1,42 0,3

0,52 0,47 1,73 1,57

0,52 0,47 1,73 1,57

меньшего значения уи, а вследствие большей входной проводимости уц.

Некоторую проверку данного расчета можно произвести, воспользовавшись формулами табл. 4.2 для пересчета параметров схемы ОБ в параметры 03. Так, например,

Уиб = &11э + Уиэ + 22э + 123-

Подставляя сюда данные из табл. 4.3, для случая /==60 МГц и /э=1 мА получаем

u6=7,l+28+0,22+0,18+j (12,0-14,7-Ь 1,37-0,84)=35,14-j2,17,

что хорошо соответствует приведенной в табл. 4.3 величине =36-]2,62. Такие же небольшие отклонения получаются и при проверке всех остальных величин таблицы.

4.7. Активная составляющая входной проводимости

резонансного усилителя

Активная составляющая входной проводимости четырехполюсника, определяющаяся уравнением (4.7) gBx-gn+Kuyi2 cos (ф-ijj),



зависит от частоты, нагрузки, типа усилительных приборов и схемы их включения.

Расчет /-параметров и фазовых углов для биполярных транзисторов дан в предыдущем параграфе. Для полевых транзисторов и электронных ламп, за исключением случаев использования их на СВЧ, можно принимать, что

Я11и=ё'12и=0; г/12и=Ь12и=(оСзс;

ф=-90°; г/11и=Ьпи=и {Свж+ Свс).

Здесь Сзс - проходная и Csn-fCgc - входная емкости прибора, даваемые в справочниках и ТУ.

Для расчета модуля Ки и фазового угла ф учтем, что комплексная величина коэффициента усиления по напряжению усилительного прибора

№2 + Уа У'н

где у'в=Ун+У22 - суммарная проводимость нагрузки, определяющая частотную характеристику каскада. Независимо от схемы усилителя и числа резонансных контуров в переходных цепях нагрузкой усилительного прибора всегда является резонансный контур, настроенный :На частоту fo и подключенный полностью или частично к выходу прибора. Комплексная проводимость такой нагрузки может быть иредставлена в 1виде

4/н-=ё-н(1-Ь/а),

где gt! - проводимость нагрузки при резонансе; а- = 2Aflfodo - обобщенная относительная расстройка; Af - приращение частоты, отсчитываемое от резонансной частоты fo; do - эквивалентное затухание контура, учитывающее его собственные потери и все потери, вносимые подключенными к контуру элементами, включая и выходную проводимость усилительного прибора.

Комплексная проводимость прямой передачи (см. § 4.6) а резонансной частоте контура fo, полагая, что она неизменна в пределах полосы пропускания контура, будет




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92