Главная Автоматизация процессов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 [ 43 ] 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 скоростях, даже близких к нулю. Поэтому индуктивные методы уступают в таких случаях данному спо- 5В 15:мкс 8А(СМ 1 i I Положительный импульс 0...2A/cm 50мкс1 дтрицательиьт импульс Магнитно - бмстабильиая лроволока Рис. 7.3.1. Сигнал датчика положения на основе магнитно-биста-бильной проволоки {а) и устройство датчика (б). собу измерения. На рис. 7.3.1,6 проиллюстрировано применение такого датчика для измерения скорости вращения. Глава-оптические ДАТЧИКИ Бесконтактное измерение ряда физических величин, как, например, перемещений, вибраций, температуры и т. д., оказывается возможным лищь с помощью оптических датчиков. При этом информация передается не по кабелю, а световыми волнами, которые могут изменяться по интенсивности, фазе, цвету или геометрическому распределению в пространстве и благодаря этому оказываются пригодными для получения и передачи информации. Чрезвычайно простым оптическим датчиком является, например, известная фотоячейка. Фотоячейка состоит из источника света (лампы накаливания или светодиода) и приемника (фотодиода или фоторезистора). Нарушение передачи света от источника к приемнику служит информацией 0 нахождении объекта в фотоячейке. Если число импульсов отнести к единице времени, то, например, при конвейерном производстве можно получить информацию о количестве деталей, изготовленных за 1 час или за день. Основные принципы Преобразование оптического сигнала в электрический осуществляется детекторами излучения, использующими различные физические эффекты. Мы опишем три типа детекторов излучения, наиболее часто применяемых в оптических датчиках, а именно фотодиоды, фоторезисторы и приемники теплового излучения (ИК-датчики). Фотодиоды При облучении кремниевых фотодиодов светом в них возникает напряжение, определенным образом Контакт Противоотражатель-ный слой (SiOg) i-слой Рис. 8.0.1, Структура рш-диода. чей достаточно высокой энергии (Е = hv) возникает фототок Ish (ток короткого замыкания) порядка 0,1...! А/Вт. Чувствительность такого фотодиода очень сильно зависит от длины волны (цвета) используемого излучения. На рис. 8.0.2, а представлена спектральная чувствительность типичной кремниевой фотоячейки в диапазоне длин волн от 200 нм до 3,2 мкм (1200 нм). Обозначенная здесь через Q. Е. квантовая эффек- тивность характеризует отношение числа фотонов, попавших иа диод, к числу электронов, возникших в риде фототока hn. Фототок Ish изменяется линейно в зависимости от интенсивности падающего света при ее изменении в пределах более 6 порядков, так что возможна прямая индикация интенсивности света. зависящее от силы света. Эффект, вызывающий возникновение этого напряжения, называется внутренним фотоэффектом. На практике чаще всего применяют рт-диоды Эти диоды имеют слоистую структуру (рис. 8.0.1), в которой тонкие проводящие слои р- и п-типа разделены областью нелегированного высокоомного кремния {i). При попадании на pi-переход световых лу- |