Главная Автоматизация процессов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [ 41 ] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 Термометр (50°С) К элентрон- ому блоху Тампон с насыщенным солевым растворам Подложка из стиропора Рис. 6.5,1. Устройство для калибровки датчиков влажности. ность 12%. Используя различные солевые растворы (при их смене сосуд обязательно очищают), можно промерить всю характеристику датчика для относительной влажности от 12 до 98%, а в случае необходимости также и линеаризировать ее. 30 мин в резервуаре устанавливается соответствующая относительная влажность, указанная в табл. 6.5.1. Например, в случае применения LiCl при комнатной температуре (20 С) получается относительная влаж- ГЛАВА 7 ДАТЧИКИ MAI НИТНОГО ПОЛЯ Среди датчиков магнитного поля различают датчики трех типов, использующие различные физические эф-фекты, а именно: магниторезистивные датчики. датчики Холла и датчики Виганда. В общем случае датчики магнитного поля отличаются простотой устройства и связанной с этим надежностью. Благодаря таким свойствам они особенно пригодны для применения в автомобилях и в бытовой технике. Важными и интересными применениями магнитных датчиков являются, например, измерения положения, скорости вращения, давления и линейноя скорости, !; ! 7.1. Магниторезистивные датчики - Некоторые ферромагнитные материалы, например пермаллой (80 % Ni и 20 % Fe), изменяют свое электрическое сопротивление при воздействии магнитного поля. Степень этого изменения зависит от величины напряженности магнитного поля и угла между вектором напряженности и направлением тока. С помощью современной тонкопленочной технологии можно изготовить небольщие и очень дешевые магнитол резистивные датчики. Они состоят из резистивного элемента в форме меандра (рис. 7.1.1) сопротивлением от 30 Ом до I кОм. Поскольку получать сигнал с помощью таких датчиков наиболее целесообразно в мостовой схеме. Магнм йатчиц Ось С А Рис. 7.1.1. Чувствительный элемент магниторезистивного датчика (о); устройство для измерения скорости вращения или числа оборотов датчиком с магниторезистивным элементом (б), измери-тельная схема (е) и форма сигнала на выходе (г). вращения. Магнит, установленный на оси вращения, при каждом обороте проходит один раз мимо магни- торезистивного датчика, вызывая изменение его сопротивления. Это изменение сопротивления с помощью схемы, показанной на рис. 7.1.1, е, преобразуется в изменение напряжения f/д (см. рис. 7.1.1,г). В датчике располагают две меандровые структуры (А/В) различной ориентации. На рис. 7.1.1,6 продемонстрирована возможность применения такого датчика для измерения скорости |