91. G i г а 11 G., Martin J. C, M a t e u - P e r e z F. X. Compt. Rend. Acad. Sci., Paris, 1965, v. 261, p 5350.

92. M a с h 1 u p S. J. Appl. Phys., 1954, v. 25. p. 341.

93. Ван дер Знл A. Шумовая температура системы квантовых усилителей. ТИРИ, 1963, т. 51, № 6, стр. 963.

94. Rot he Н., D ahlke W. Proc. IRE, 1956, v. 44, p. 811.

95. КI a a s s e n F. M. Conference Report of Physical Aspects of Noise in Electronic Devices, September 11-13, 1968, University of Nottingham, England.

96. A g о u г i d i s D. C, v a n der Ziel A. IEEE Transactions; 1967, ED-14, p. 808.

97. T о n g H. A., v a II d e r Ziel A. IEEE Transactions, 1968, ED-15, p. 307.

98. Van der Ziel A., Takagi K. IEEE Journal Solid State Circuits, 1969, SC-4. p. 170.

99. Van der Ziel A., Can. J. Technology, 1951, v. 29, p. 640.

100. Becking A. G. Th., G r о e n d i j к H., К n о 1 К. S. Philips Res. Repts., 1955, v. 10, p. 349; Nachr. Techn. Fachber., 1955, V. 2, p. 37.

101. Klaassen F. M., Prins J. Philips Res. Repts., 1968. v. 23. p. 478.

102. Vlaardingerbroek M. T. Philips Res. Repts. 1959, v. 14, p. 327.

103. В a e с h t о 1 d W., S t r u 11 M. J. O. Electron. Letters, 1967, v. 3, p. 323. IEEE, Trans., 1968, MTT-16, p. 578.

♦104. Cooke H. P., P о 1 i с к у G. J. IEEE Northeast Electronics Research and Engineering Meeting, Boston, 1965, v. 17, p. 254.

105. Fukui H. IEEE Trans., 1966, ED-13, p. 329; IEEE Trans.. 1966, CT-13, p. Ш.

106. L a n g e J. IEEE J. Solid-State Circuits, 1967, SC-2, p. 37.

107. Thommen W., Strutt M. J. O. IEEE Trans., 1965. ED-12, p. 499.

108. S t г ut t M. J. O. Proc. IRE, 1946, v. 34, p. 942.

109. Van Weel. A. Ph. D. Thesis, Technical University of Delft, 1943.

110. Van der Ziel A. Electronics, Allyn & Bacon, Inc., Boston, 1966.

111. Van der Ziel A. Sdid State Physical Electronics, 2nd, ed.. Prentice Hall, Inc., Englewood Cliffs., N. Y., 1968.

112. Okamoto M., v a n de r Z i e 1 A. IEEE J. Solid State Circuits 1968, SC-3, p. 300.

113. Van der Ziel A., Okamoto M. IEEE J. Solid State Circuits, 1968, SC-3, p. 303.

114. Lee S. J., van der Ziel A. Physica, 1969, v. 45. p. 379.

115. В ael de A. Philips Res. Repts., 1961, v. 16, p. 225.

116. Van Vliet K. M. Solid State Electronics, 1970, v. 13.

117. Van der Ziel A., Walters R. L. Proc. IRE, 1958, v. 46, p. 1426.

118. Jaeger R. C, В r о d e r s e n A. J., С h e n e 11 e E. R. Record of the 1968. Region III IEEE Convention, 1968, p. 58.

119. Abowitz G., Arnold E., Leventhal E. A. IEEE. Transaction, 1967, ED-14, p. 775.

120. Hsu S. Т., F i t z g e r a 1 d J). J., G г о V e A. S. Applied Physics Letters, 1968, v. 12, p. 287.

121. Viner J., M. Sc. Thesis, Univ. of Minnesota, 1969.

122*. Линдхольм, Айерс. Обобщенное уравнение Эйнштейна для вырожденных полупроводников. ТИИЭР, 196b, т. 56, № 3.

123. К 1 а а S S е и К М., К о b i п s и п J. R. Anomalous noise behavior 01 ihe junction- gate lieid -effect transistor at low temperatures. ШНЕ Trans, bieciron. Dev., 1970, v. IiD-17. 10, p. 852-857.

124. Еремин С. A., M о к e e в О. К., Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. Изд-во Советское радио , 1966.

125. Schneider В., S t г и 11 М. Theory and experiments on shot noise in silicon p-n junction diodes and transistors. Proc. IRE, 1959. № 4.

126. Brophy J. J., biaiisiics of 1/i noise. Phys. Rev., 1968, v. 166, № a, p. 827-831.

127. Brophy J. J. Zero - crossing statistics of 1/Г noise. J. Appl. Phys., 1969, V. 40, № 2, p. 56/-669.

128. Greens tein l. J., Brophy J. J. Influence of lower cutoff frequency on the measured variance oi 1/1 noise. J. Appl. Phys., 1969. V. 40, № 2, p. 682-685.

129. Brophy J. J. Variance Uuctuations in flicker noise and current noise. J. Appl. Phys., 1969, v. 40, № 9, p. 3551-3553.

130. Brophy J. J. Low-lrequency variance noise J. Appl. Phys., 1970, V. 41, № 7, p. 2913-2916.

131. Нарышкин A. K., Враче в A. С. Теория низкочастотных шумов. Изд-во Энергия , 1972.

132. Воюцкий В. С. Корреляционный метод обнаружения и измерения слабых сигналов. Изд-во Недра , 1965.

133. Нарышкин А. К. Противошумовые коррекции в широкополосных усилителях на транзисторах. Изд-во Связь , 1969.-

Литература 11122-133] добавлена редактором перевода.

предметный указатель

Адмиттапс корреляционный (полная проводимость) 151 Ансамбль Г1

Величина случайная стационарная 11 Включение каскадное 47

Генератор параметрический

Детекторы 69

- квадратичные 69

- линейные 70

Диод с переходом типа металл - полупроводник (диод Шоттки) 112, 180 плоскостной с р-п переходом 114

- твердотельный с ограничением тока пространственным зарядом 85

- туннельный 53, 116 Дисперсия 9

Закон распределения 13

-- биномиальный 13

-- гауссовский 13

--нормальный 13

--Пуассона 13

Измерение шума 72, 77

--в импульсном режиме 79

Импеданс (полное сопротивление) корреляционный 108, 172

Источники шума 58 --газоразрядные 63

--диодные 60

--тепловые 59

Каскады (в усилителях) 47 - ira биполярных транзисторах 167

---без нейтрализации 176

----с общей базой 167

---с общим эмиттером

- на вакуумных триодах 165

- на полевых транзисторах 150

---с общим затвором 156

---с общим истоком 151

---с общим стоком 157

Корреляция 15

- авто 16

- взаимная 16 Коэффициент корреляции 16

- подавления шума пространственным зарядом 26, 127

- усиления номинальный 47 --обобщенный 52

--по току 117, 120

- шума 41

-- биполярного транзистора

-- вакуумного триода 165

--мазера 145

-- на определенной частоте 42

--обобщенный 53

-- полевого тетрода 160

--- транзистора 150

-- смесителя 180

--усредненный 43

Мазер 87, 88, 145

- бегущей волны 149

- резонаторный 145 Метод Ланжевена 27

- коллективный 112, 216

- корпускулярный 112, 216

- корреляционный 71

- усреднения (в смесителях) 218

Мощность обмен.ная 52

- располагаемая 46

Нормирование 12, 15, 16

Плотность вероятности И

--- спектральная 18

--взаимная 20

Постоянная диффузии 84

-- амбиполярной 216

Преобразователь с повышением частоты 197