Главная  Носители тока 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 [ 56 ] 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74

Измерения выполнялись путем определения эквивалентного шумового сопротивления Rn = FRs прибора. Согласно (7.42) и (7.44)

R = FRs = B-{- ARs + Clf + C (X, + Хе + X p)

(7.49)

где А, В и С имеют прежний смысл. Величина Хщц) измерялась путем включения переменного реактанса Xg последовательно с Rs и настройкой на минимум шумового сопротивления Rnt- На.рис. 7.15 приведены типичные ре-

. 5 3

7 - Ч . .л f->

i£ - 7 MCi

д

5 МО. А

с

Vi\\

- ц

с

3 5 7 W

3 5 7 10 Т,кгц

Рис. 7.16. Зависимость iRnop от частоты для 2iV1893 с /е в качестве

параметра [97].

зультаты измерения Rnt. а на рис. 7.16 и 7.17 построены зависимости Rov и -Хкор от частоты с током 1е в качестве параметра. Измерения показывают, что Rkov было очень большим, особенно на низких частотах, что вещественная часть {a*ZKovgne) велика по сравнению с мнимой частью и что в большинстве случаев Rkov было значительно больше Xrop-



>

-<

>

А

А

5 7 10 3 5

Частота, кгц

7 10

Рис. 7.17. Зависимость Xkov от частоты для 2Л/!893 с /л- в качестве параметра [97].

Согласно определению 2кор, так как е и t не коррелированы, а е' и i полностью коррелированы, имеем

(7.50)

Величина Zop менкется как \lYIe ёпе и г тямо пропорциональны 1 так что, с некоторым прибли.кением,

е' не зависит от тока. Так как е обратно пропорционально 1, считается, что наличие у е коррелированной

части е' связано с эффектом высокого уровня инжекции, причина которого в настоящее время не известна.

Подставляя в (7.45) выражеиия для А, В и С, имеем

l+2g e(-b + /?e + i? op) + + 2 / (Гь + Rne) gne + gl {Гь + Re + R.opT (7-51)

Согласно [97] при больших токах член gneRvov находится в пределах от 0,2 до 0,5. Кроме того, в широком интервале /я произведение gneRnop изменяется как V/ (рис. 7.18). Поэтому корреляционное сопротивление Rmp может служить причиной значительного увеличения Ршш, особенно при больших токах.



9пе кор 0,6

Рис. 7.18. Зависимость gneRxop 0,5

от на частоте 550 кгц

при V(,g = - 10 в для ряда транзисторов [97]:

О-2Л/930 № 2, Р = 150, г^=200 ол.

. -2Л/1566 № 4, Р = 160, rj = 120 ом, Д-2ЛГ698 (2Л/1893) № 1, Р=142, Г(,=

= 80 ом, X-2W1566 № 1, Р = 100, Г5 = 230 ом, □-2ЛГ2411, р=32, г^-

= 100 ом, 0 - 2,V1564 № 4, Р=25, г^ = =70 ол; g i? op=const /Т^.

0 1,0 г-,0 3.0 ctfi 3,0

За исключением эффекта корреляции, который нуждается в дальнейшем изучении, теория удивительно хорошо подтверждается экспериментом даже при таких токах, где можно было бы ожидать высокого уровня инжекции.

Б.. Коэффициент шума транзисторной схемы с общим эмиттером

Покажем теперь, что схема с общей базой и схема с общим эмиттером, в которой нейтрализована емкость, обратной связи Сьс, имеют идентичные коэффициенты шума. С этой целью обратимся к рис. 7.19, который является развитием рис. 6.3,6. Если Zs = Rs+iXs, имеем

С = 4,(а + -ь) Af

ь(г + ь)(/Пв)

Zs+rb+l/Ybe

Zs + rb+ l/Ybe Yce-i

(7.52).

так что коэффициент шума при включении с общим эмиттером

гъ , 1

* с:

(7.53>




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 [ 56 ] 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74