Главная  Носители тока 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74

Следовательно, при настройке на минимум коэффициента шума

Ft= 1 + Шп1ё>) +Rngs, (7.38)

так что минимальный коэ равным р

оициент шума оказывается

\ + 2VRr,g при g, = (g,) , = ]/g /P . (7.39)

Аналогичные результаты должны получаться и для схемы с общей сеткой.

Для триодов в металлической оболочке rfm-(l/3)cfcg, и поэтому (Сйе+Скоф) 0 (см. рис. 7.10). в этом случае нельзя пренебрегать проводимостью резонансного контура gc.

7.3. КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА КАСКАДОВ нА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

А. Коэффициент ш.ума схемы с оби^ей базой

Начнем анализ со схемы, с общей базой, показанной на рис. 7.11, которая является некоторой детализацией рис. 6.3,а. Если предположить, что шумовое напряжение.


Рис. 7.11. Эквивалентная схема каскада на биполярном транзисторе

с общей базой.

развиваемое на коллекторной емкости Ссь, велико по сравнению с шумом в других частях схемы, можно представить шум как i+aie, где

Zs + rb +

(7.40)



Разобьем теперь е на часть е', полностью коррелированную с i, и часть е , не коррелированную с i, и введем параметры

Z,o.ae-eii\ (7.41)

Тогда коэффициент шума схемы может быть записан как

, l j A+ } Z,-f + ZkopP- (7.42) При

i s - Rs-Vl&i eRe-\-\Xe И 2кор =/?кор 4 j-кор

схема настроена на минимум коэффициента шума, если ;f,-f Х,-ьХкор=0, (7.43)

а значение коэффициента шума Ft при настройке равно

1 +++ (i?;+,-+/ +

+ кор)= = Л + +С/?,. (7.44)

По отношению к i/?s это гипербола, причем

Л==1+2 Л'-Ь + е + /?кор).

5--ь + ? е + в(Гь + е + /? ор)\ C=g (7.44а) так что

+ + /?кор = (Л - 1)/2С, Гь -f -=

= В-(Л-1)74С, g e = C. (7.446)

Р1змеряя зависимость Ft от -Rs, можно экспериментально определить А, В и С и далее вычислить gne, Гь+Rne

и rb+Re+Rnop- Поскольку /?е~У?ео26 Е И Rne -

i~ (1/2)ео13 в, где /в -величина тока в миллиамперах, мы можем, таким образом, вычислить gne. Гь и iRkop по шумовым данным. Во многих случаях влияние Хкор относительно мало.

Рис. 7.12 показывает зависимость гъ+Rne от тока эмиттера 1е СВЧ транзистора. В этом случае гь, очевид-



но, не зависит от тока, так что гь+Рпе можно представить формулой

гь+? в=35+13 в (ом), (7.44в)

где 1е берется в миллиамперах. Это дает Гь = 35 ом и Rne{l/2)Reo, как и следовало ожидать. Обычно Rne настолько мало, что вполне допустимо подставить Рие== c{\,2)Reo и вычислить Гь по имеющимся данным..

I so

ti: SO

<!

/\ 5*1i

о

<5~

0 0,г5 0,50 1,0 2,5 5,0 ID

Рис. 7.12. Зависимость гъ+Д-пе от /е для 2Л/2996 № 31, Ge, р-п-р транзистора, Fcb=-6 е, f=4 Мгц [96].

Практически это один из наиболее точных методов определения Гь.

Согласно (7.44) минимальный коэффициент шума равен

=Л + 2КВС при (/?,) , = 1/В/С. (7.45)

Подставим сюда значения для Rne, gne и Ркор. Из теории известно Rne{\l2)Rea, сопротивление Ркор предполагается очень небольшим, так что им можно пренебречь, а gne получается из (6.20) как

(7..46>

Здесь пренебрегли током насыщения коллектора /со,.

а ау/а^ заменили единицей. Выполняя подстановки, на-

ходим




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [ 54 ] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74