Главная  Носители тока 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74

4S>

Л

-6н

Рис. 6.3. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов с общей базой (а) и с общим эмиттером (б).

Сравнивая рис. 6.2,6 с рис. 6.3,а для разомкнутой цепи эмиттера, имеем

e=iiZe, i=h~ah. (6.18)

Поэтому, используя выражения (6.17) Ч получим

? = Г] Ze Г=+ {ge - Це,)Ц] I Z,l=; (6.19)

Р== (/з - ai,) ~ a*i\)==J+\a\J- 2Iie{aiJ,)

= 2qf,Af Га, I a P + h Н + Vco /

2qIAf

+ (f7f)

f29/ Af, (6.20)

где /со -коллекторный ток насыщения. Для получения последнего слагаемого в (6.20) было использовано то, что а= о/(1+j f )> где - граничная частота транзистора по а, а малым слагаемым (зд-а/) в числителе

> Такой же результат получается с весьма хорошей точностью, если учитывать влияние 1вц.



Лренебреглй по срабненйю с ci,f{i-щ). Наконец, мУ положили gco= {af/ao)qlE/kT (6.166). Кроме того,

e>i = Z%i-, (4 - ai,) = Z% {i\ i,ai) =

= а.2ГД/[-1 + (2 ) geoZ%y (6.21)

Эти результаты будут использованы в гл. 7.

Во многих случаях можно пользоваться упрощенными выражениями. Во-первых, Ze почти равно своему низкочастотному значению Reo-kT/qlE для всех частот, представляющих практический интерес, а 4kT{ge-geo)A,f относительно мало на этих частотах. Поэтому можно положить

¥2kTRe,Al , (6.19а)

Далее, корреляция между е и i, определяемая выражением (6.21), оказывается относительно малой и. в. большинстве случаев мнимой, и поэтому, полагая ей/ независимыми, мы не сделаем большой ошибки, т. е.

еЧО. (6.21а)

Наконец, на низких частотах, где (f/fj<l. (6.20) может быть записано в виде

f= 2qlaf (1 - at) Ц + 2qIAl (6.20а)

соответствующем полному дробовому шуму коллекторного тока насыщения плюс компонента шума токораспределения. Поскольку ток эмиттера 1е распределяется между коллектором и базой таким образом, что часть щ1е идет на коллектор, а часть (1-a/)/js - в базу, спектральная плотность шума, связанная с этим распределением (ср. п. В § 2.2 и 6.3), равна

Sp(i)=2qlEai{\af). (6.206)

Интересно отметить, что равенства (6.19а) и (6.20а) были первыми соотношениями, полученными для шумов транзисторов [7.4, 75] на низких частотах.

На рис. 6.4 показаны результаты измерений эквивалентного тока насыщенного диода /экв для коллекторной цепи транзистора при разомкнутой цепи эмиттера (т. е.



/экй, МКй

г

р

ч

т' .3 5 7 10

3 5 7 to If.Ma


5 7 lO 3 5 7 10 3 5 7 10f,Mzu

Рис. 6 4. Основные зависимости эквивалентного тока шумового диода от /е (а) для 2 930 (№ 2) на частоте 550 кгц при питании входной цепи источником тока (.i?s=oo, точками отмечены результаты измерений) и от / (б) для 2 N 1566 (№ 4) при питании входной

цепи от источника тока (iRs=oo, Vcb=-е). Сплошные линии - результаты расчетов при /э1=5а Мгц. (Данные взяты из [97]) адд=а,.




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74