При подаче иапряжеиия высокого уровня на вход Упр. А2 и соответствующей комбинации управляющих импульсов на входы Упр. К1 - Упр. К8 нужная цифра будет высвечиваться во втором знакоместе, и т. Л- В процессе индицирования цифры конденсатор С1 разряжается. Зарядка С1 происходит за время гашения сегмента, когда одна из обкладок конденсатора через открытый канал МОП-транзистора S2 подключена к обнгему проводу. С этой целью катодные импульсы подают на 30. .50 мкс позже анодных.

На рис. 4.11 приведены эпюры напряжений на каждом из одиннадцати анодов и на каждой из восьми групп катодных сегментов ГИП-17 применительно к схеме рис. 4.!0. Аноды обозначены цифрами, а группы катодных сегментов - буквами. Нетрудно видеть, что в соответствии с этими обозначениями и потенциальным рельефом, приведенным на диаграмме, в каждом разряде высвечиваются цифры и знаки, изображенные в нижней части

Упр. А2 I-L

УпрАЗ

-20В - О В

J~l

Упр A3

Упр А В

Упр. AS

Упр А to

Упр Afl

Упр KI

Упр. КЗ

Упр. к If

Упр к 5

Упр К7 Упр. К8

п и

~гов О в

Рис. 4.12. Временные диаграммы напряжений на входах анодных (а) и катодных (б) ключей

рисунка. На рис. 4.12 приведены эпюры напряжений, управляющих анодными и катодными ключами для высвечивания тех же цифр и знаков.

Подобное устройство может применяться для управления сегментным ГРИ с практически любым числом разрядов и сегментов. При этом варьируют только числом анодных и катодных ключей, а также сопротивлением резисторов. В качестве ключевых элементов S1 и S2 применяют коммутаторы К161КН1. Катодные ключи S2 могут управляться от микросхемы К161ПР2.

Как уже отмечалось, при управлении матричными ГРИ из-за высоких напряжений питания возникает проблема смещения уровней напряжений цифровых узлов управления и уровней на катодах или анодах. Если на выходе цифрового узла получаются напряжения, амплитуда которых достаточна для возбуждения индикатора, то для сдвига уровней могут быть использованы диоды и конденсаторы, причем емкость должна быть достаточно велика, чтобы на них не возникало заметного падения напряжения во время протекания разрядного тока индикатора. В связи с этим при интегральном исполнении ключей чаще применяются гальванические схемы сдвига уровня. Схема одного из таких узлов приведена на рис. 4.13, В анодном ключе использованы транзисторы VT1, VT2 разной структуры. Катодные ключи в данном случае работают в режиме источников тока. Базы транзисторов. УТЗ подсоединены к источнику постоянного напряжения. Управление ведется по эмиттерным цепям, подключенным к выходам микросхем. Использование режима источника тока снижает

vn(fi}

/20В

Рис. 4.13. Схема управления ГИП-И щими типами проводимости

с ключами на транзисторах с дополняю-

влияние разброса напряжений поддержания разряда на значение тока различных сегментов.

Разность потенциалов между электродами равна 80 В, если данный сегмент не индицируется ни в одном из знакомест, или 120 В, если данный сегмент индицируется в другом знакоместе. При индикации к сегменту первоначально прикладывают напряжение 200 В, затем в результате протекания разрядного тока оно уменьшается до 150 В. Для подавления паразитного свечения необходимо, чтобы в отсутствие индикации разность потенциалов между электродами была меньше напряжения возникновения разряда. Для того чтобы напряжение возникновения разряда не было понижено из-за наличия остаточной ионизации, вводится пауза между импульсами выборки, подаваемыми на соседние знакоместа. Длительность этой паузы должна быть не менее 30...40 мкс.

Рассмотренный узел характеризуется определенной критичностью в отношении требований к параметрам индикатора (напряжение возникновения разряда более 120 В) и транзистора (должен быть структуры р-п-р с допустимым коллекторным напряжением более 80 В). На рис. 4.14 показана схема другого узла сдвига уровней, в котором использованы транзисторы только структуры п-р-п, коллекторные напряжения которых не столь ограничены.

200 В

VTI-VTJ KfBBHTIA

vm-vnz кдвозА

к знакогенератору Рис. 4.14. Схема сдвига уровней напряжения