Рис. 3.2. Схема, обеспечивающая увеличение анодного напряжения

К коллситорап транзисторных ключей.

Общий

Общий

а) 6)

Рис. 3.3. Схемы подключения анодного источника питания

вод диодного моста соединить с катодом индикатора, к которому подключен проводящий слой, нанесенный на внутреннюю поверхность баллона индикатора.

Существуют два варианта подключения анодного источника питания для ВЛИ: через последовательный ключ (рис. 3.3, а) и с использованием шунтирующего ключа (рис. 3.3,6). Анализ показывает, что для коммутации анодных (и сеточных) управляющих напряжений в ВЛИ предпочтительнее первый вариант. Ключи можно выполнять как на биполярных, так и на полевых транзисторах. Целесообразнее применять биполярные транзисторы с р-п-р структурой и полевые с каналом р типа. При выборе ключей следует учитывать их ток утечки в выключенном состоянии и во избежание подсветки анодов шунти-

А/1111111

Т И сети Т

I it

Рис. 3.4. Схема включения одноразрядных ВЛИ при динамическом режиме управления

ровать промежутки анод-катод резисторами сопротивлением (в омах) Ra< 1/1>т,ама)1, где 1ут.амах-максимальный ТОК утсчки ключа (в амперах) в анодной цепи при выбранном анодном напряжении ВЛИ.

В динамическом режиме (рис. 3.4) могут работать как одноразрядные, так и многоразрядные ВЛИ. При этом по цепям сетки включаются выбранные знакоместа, а по цепям анодов - сегменты в выбранном знакоместе. Для надежного закрывания индикатора на время, когда на сетке нет входного сигнала, иа нее необходимо подавать закрывающее напряжение. Сопротивление резисторов в цепи сетки вычисляется по формуле

R,<0,05U,/IyTc ax,

где и - закрывающее напряжение на сетке; 1у, схах-максимальный ток утечки ключей в цепи сетки при выбранном напряжении на сетке.

При построении различных средств отображения с использованием ВЛИ нередко применяют микросхемы серий К120 и K16I, в состав которых наряду с логическими элементами, сумматорами, регистрами входят и специализированные микросхемы для управления ВЛИ.

Микросхемы типа К120ХЛ предназначены для приема и хранения цифровой, буквенной, знаковой информации и вывода ее на матричные одно-, двух- или трехцветные ВЛИ, имеющие организацию 7X5 элементов каждого цвета. Микросхемы изготавливают семи типов (табл. 3.1).

Эти микросхемы рассчитаны на прием информации в последовательном коде и имеют два входа выбора кристалла. Один из 13 режимов работы задается внешними сигналами.

Недостатком р-МОП микросхем серии К161 является то, что они требуют подачи на вход сигналов отрицательной логики. Недостатком преобразователей типа К161ПР2 и К161ПРЗ является небольшой выходной ток, что не всегда допускает прямое подключение к ним ВЛИ. Достоинство этих микросхем - наличие входного регистра.

При использовании семисегментных В.ПИ совместно с ними применяются микросхемы К176ИЕЗ и К176ИЕ4 (рис, 3.5). Микросхемы К176ИЕЗ -это счетчики импульсов по модулю 6 с дешифратором, преобразующим двоичный код в семисегментный. Микросхемы К176ИЕ4 - счетчики импульсов по модулю Таблица 3.1

Рис. 3.5. Структура микросхем К176ИЕЗ, К176ИЕ4

10 с аналогичным дешифратором. Назначение их выводов: +1 -счетный вход; R - вход установки в нулевое состояние; IN - управляющий вход; а-g - выходы к сегментам индикатора; Q1 - выход счетчика по модулю 2 для К176ИЕЗ (по модулю 4 для К176ИЕ4); Q2 - выход счетчика по модулю 6 для К176ИЕЗ (по модулю 10 для К176ИЕ4).

Напряжение высокого уровня на входе R переводит в нулевое состояние все внутренние триггеры счетчика, при этом на выходе дешифратора выставляется код нуля. Сигнал на входе IN переключает активный уровень на выходах а-g. При напряжении низкого уровня на входе IN активный уровень выходов - напряжение высокого уровня, при напряжении высокого уровня на входе S - напряжение низкого уровня. По выходу Q1 реализуется деление входных импульсов на 2 для К176ИЕЗ (иа 4 для К176ИЕ4), по выходу Q2 - деление на 6 для К176ИЕЗ (на 10 для К176ИЕ4).

На рис. 3.6 приведены два варианта подключения ВЛИ к микросхемам К176ИЕЗ и К176ИЕ4. Напряжение накала выбирают в соответствии с типом индикатора. Подбором напряжения питания в пределах 25...30 В (рис. 3.6, о) или -(15...20) В (рис. 3.6,6) можно изменить яркость свечения сегментов. Транзисторы в первом варианте могут быть любые кремниевые структуры п-р-п с напряжением коллектор - эмиттер не менее 30 В, во втором - структуры р-п-р с обратным током коллектора не более 1 мкА (при напряжении 25 В). Если этот ток больше, то между анодами и одним из выводов катода необходимо включить резисторы сопротивлением 30...60 кОм. То же делают при использовании германиевых транзисторов.

В тех случаях, когда применяются счетчики импульсов без встроенных дешифраторов, необходимо использовать внешние дешифраторы, например К176ИД2 и К176ИДЗ. Они предназначены для управления семисегментными буквенно-цифровыми индикаторами. Отличие К176ИДЗ от К176ИД2 заключается в том, что ее выходы выполнены с открытым стоком.

Микросхема К176ИД2 содержит преобразователь сигналов двоично-десятичного кода в сигналы управления семисегментным индикатором. Кроме того, в ней есть еще триггеры, позволяющие запом1шть сигналы входного кода.

+ J0 В

W-vn КТ315Д; ЛВ1 HI7SBEB (BmBEii) K1-R7 Б2к; RS-Rn 22к

ВВ1 КПВВЕВ (BnBBEif) П1-7Т7 КТ203А К1-К2 62 к HOl ИВЗ (ИВб)

Рис. 3.6. Схемы подключения ВЛИ к микросхеме К176ИЕЗ